33
H510M-HDV
H510M-HVS
Русский
Технические характеристики
Платформа
•
Форм-фактор Micro ATX
•
Схема на основе твердотельных конденсаторов
ЦП
•
Поддерживаются процессоры Gen Intel® Core
TM
10 поколения
и процессоры Gen Intel® Core
TM
11 поколения (LGA1200)
•
Система питания 5
•
Поддерживается технология Intel® Turbo Boost Max 3.0
Чипсет
•
Intel® H510
Память
•
Двухканальная память DDR4
•
2 x гнезда DDR4 DIMM
•
Поддерживаются модули небуферизованной памяти DDR4
3200(OC)/2933/2800/2666/2400/2133 без ECC
* Процессоры 11 поколения Intel® Core
TM
(i9/i7/i5) поддерживают
память DDR4 с частотой до 3200(OC); Core
TM
(i3), Pentium® и
Celeron® поддерживают память DDR4 с частотой до 2666.
* Процессоры 10 поколения Intel® Core
TM
(i9/i7) поддерживают
память DDR4 с частотой до 2933; Core
TM
(i5/i3), Pentium® и
Celeron® поддерживают память DDR4 с частотой до 2666.
* Дополнительная информация представлена в Списке
совместимой памяти (Memory Support List ) на веб-сайте ASRock.
(http://www.asrock.com/)
•
Поддержка модулей памяти ECC UDIMM (работа в режиме,
отличном от ЕСС)
•
Максимальный объем ОЗУ: 64 Гб
•
Поддерживается Intel® Extreme Memory Prole (XMP) 2.0
Слоты
расширения
Процессоры 11 поколения Intel® Core
TM
•
1 x PCI Express 4.0 x16 гнезд*
Процессоры 10 поколения Intel® Core
TM
•
1 x PCI Express 3.0 x16 гнезд*
* Поддерживаются в качестве загрузочных SSD-диски типа
NVMe
•
1 x PCI Express 3.0 x1 гнезд
Графическая
подсистема
•
Встроенный видеоадаптер Intel® UHD Graphics и выходы
VGA поддерживаются только при использовании ЦП со
встроенными графическими процессорами.
•
Процессоры 11 поколения Intel® Core
TM
поддерживают
графическую архитектуру Intel® X
e
(поколение 12).
Процессоры 10 поколения Intel® Core
TM
поддерживают
графику 9 поколения