Kr-31
한국어
DRAM Frequency
이 항목은 DRAM 주파수를 조정할수 있습니다.
Adjusted DRAM Frequency
조정된 DRAM 주파수를 표시합니다.(읽기 전용)
DRAM Tmng Mode
DRAM 모듈의 SPD (Seral Presence Detect) EEPROM에 의해 DRAM 타이밍을 제어할
지를 선택합니다. [Auto]로 설정하면 SPD 구성을 기준으로 하는 BIOS에 의해 DRAM 타
이밍 및 다음 “고급 DRAM 구성” 서브 메뉴를 판별할수 있습니다. [Lnk] 나 [Unlnk] 로
설정하면 사용자가 DRAM 타이밍 및 “고급 DRAM 구성” 서브 메뉴를 수동으로 설정할
수 있습니다.
Advanced DRAM Conguraton
<Enter>를 눌러 서브 메뉴를 시작합니다.
Command Rate
이 설정은 DRAM 명령 속도를 제어합니다.
tCL
읽기 명령을 받아서 이 명령을 시작하기 전에 (클럭 사이클의) 타이밍 지연을 결정하
는 CAS 대기 시간을 제어합니다.
tRCD
이 설정 항목을 사용하면 RAS(열 주소)에서 CAS(행 주소)로의 변환 타이밍을 결정할
수 있습니다. 클럭 사이클이 짧을수록 DRAM 성능이 빨라집니다.
tRP
이 설정은 사전에 충전할 수 있는 RAS 사이클 수를 제어합니다. DRAM 재충전 이전
에 RAS가 충전 시간을 충분히 갖지 못할 경우, 충전이 불충분해서 DRAM이 데이터
를 보존하지 못할 수 있습니다. 이 항목은 시스템에 동기화 DRAM이 설치된 경우에
만 적용됩니다.
tRAS
이 설정은 RAS가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시간을 결정
합니다.
tRFC
이 설정은 RFC가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시간을 결정
합니다.
tWR
이 항목은 데이터 버스트 쓰기 끝기부터 사전 충전 명령 시작까지의 최소 시간 간격을
제어합니다. 감지 증폭기로 셀에 데이터를 복원합니다.
tWTR
이 항목은 데이터 버스트 쓰기 끝기부터 선충전 칼럼 읽기 명령 시작까지의 최소 시
간 간격을 제어합니다. 이 항목은 읽기 명령을 시작하기 전에 I/O gatng가 감지 증폭
기를 활성화할 수 있습니다.
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