EasyManuals Logo

Wega JPS-352 C2 User Manual

Wega JPS-352 C2
40 pages
To Next Page IconTo Next Page
To Next Page IconTo Next Page
To Previous Page IconTo Previous Page
To Previous Page IconTo Previous Page
Page #3 background imageLoading...
Page #3 background image
VorsichtsmaB&nahmen
bei
MOS
Schaltungen
(uPD547C-042)
JPS-352€2
JPS-352C2
Handling
Precautions
for
MOS
IC
IC801
(uPD547C-042)
Der
Isolationswiderstand
von
MOS
-
IS,
die
aus
einer
sehr
dinnen
Oxidschicht
bestehen,
ist
sehr
hoch.
Dadurch
ist
es
médglich,
da&
durch
statische
Aufladung
des
Menschen,
wie
sie
entstehen
kann
bei
Reibung
an
den
Kleidern,
die
Potentialdifferenz
so
grok
wird,
da
ein
Uberschlag
und
damit
eine
Beschadigung
auftritt.
Die
folgenden
MaRnahmen
sollen
bei
der
Handhabung
beachtet
werden.
(Besondere
Vorsicht
ist
angebracht
bei
geringerer
Luftfeuchtig-
keit).
Generally,
the
insulation
resistance
of
the
oxide
layer
in
MOS
IC
structures
is
very
high,
and
the
oxide
layer
is
very
thin.
Because
of
this,
it
is
possible
that
the
static
voltages
usually
present
on
clothes
and
the
human
body
will
be
enough
to
generate
a
potential
difference
across
the
insulator,
high
enough
to
cause
a
breakdown
of
the
insulating
layer.
The
following
precautions
should
be
taken
while
handling
these
ICs.
(Particular
care
should
be
taken
under
conditions
of
low
humidity).
Vorsichtsma&nahmen
beim
Wechseln
von
MOS
-
1S
1.
Die
Lagerung
ist
am
zweckméafigsten
in
leitfahigem
Schaum-
stoff
oder
in
Alu-Folie,
damit
alle
Anschlisse
gleiches
Potential
haben
(Abb.
A
und
B).
IS
Ic
Abb.
A
Fig.
leitfahiger
Schaumstoff
partially
conductive
urethane-polyester
cushion
Abb.
B
Fig.
Aluminiumfolie
aluminum
foil
2.Priifen
Sie
den
Létkolben
auf
médglichen
Fehlstrom.
Schalten
Sie
zur
Prifung
ein
Ohmmeter
zwischen
die
Létspitze
und den
Netzstecker,
siehe
Bild
C.
Wenn
der
Zeiger
ausschlagt,
einen
anderen
Létkolben
verwenden.
3.
Bevor
mit
MOS
-
IS
gearbeitet
wird,
soll
ein
Potentialausgleich
aller
bendtigten
Mittel,
auch
des
Menschen,
durchgefthrt
werden,
dh.
alles
gleichzeitig
verbinden
mit
den
Handen.
4.
Die
folgenden
MaRnahmen
fur
die
Handhabung
von
MOS
-
IS
gewahrleisten,
dal
keine
Potentialdifferenz
in
der
IS
auftritt.
e
Verwenden
Sie
eine
Papierklammer,
an
die ein
Draht
gelétet
ist...
(Abb.
D).
Draht
wire
braid
Klammer
clip
gelétet
elétet
;
soldered
soldered
Es
darf
kein
Lotzinn
an
der
Innenseite
sein.
Abb.
D
F;
1g.
Make
sure
that
there
is
no
solder
on
the
inside.
Precautions
in
replacing
MOS
ICs
1.
Store
new
ICs
by
inserting
them
into
a
urethane-polyester
cushion
(which
is
somewhat
conductive),
or
wrapping
it
in
aluminum
foil,
so
that
all
the
pins
are
at
the
same
potential.
(The
ICs
should
be
stored
in
that
manner
until
mounted
on
the
circuit
board)
(Fig.
A
and
B).
Ohmmeter
(Q
x
10.000
Bereich)
VOM
(Q
10,000
range)
Létkolben
soldering
iron
2.
Check
the
soldering
iron
for
possible
power-line
leakage
current.
Make
sure
that
there
is
no
leakage
path
by
connecting
an
ohmmeter
to
the
tip
of
the
soldering
iron
and
the
plug
as
shown
in
Fig.
C.
If
there
is
a
leakage
path,
use
some
other
soldering
iron.
3.
Equalize
any
potential
difference
between
the
clothes,
the
tools
in
use,
the
work
bench,
the
set
being
worked
on,
and
the
packaged
!C
by
touching
them
all
in
succession
with
the
hands
or
a
conductive
wire
or
tool.
4.
The
following
are
effective
methods
for
handling
ICs
that
remove
the
potential
difference
across
the
oxide
layer.
e
Use
a
paper
clip
modified
by
soldering
in
a
wire
braid
insert
(Fig.
D).
Klammer
clip
Leitfahiger
Schaumstoff
oder
eine
Aluminium-Folie
Partially
conductive
urethane-polyester
cushion
or
aluminum
foil
Abb.
E
Fig.
e
Verwenden
Sie
einen
blanken
Draht
und
binden
Sie
diesen
um
die
IS,
da&
alle
Anschliisse
der
IS
kurzgeschlossen
sind,
so
lange
sie
noch
durch
den
leitfahigen
Schaumstoff
oder
durch
die
Aluminium-Folie
verbunden
sind.
Dann
haben
alle
Anschliisse
dasselbe
Potential
(Abb.
E
bis
G).
Draht
wire
braid
Klammer
clip
5)
2D
DD
DP
.D'O.O.0.0
(a
Atle
Anschlisse
sollen
mit
dem
Draht
Kontakt
haben.
(Dann
liegen
alle
Anschlisse
auf
demselben
Potential).
Abb.
F
Fig.
Make
sure
that
all
the
pins
are
in
contact
with
the
wire
braid
(all
the
pins
will
then
be
at
the
same
potential).
erg
Abb.
H
Fig.
e
Falls
die
IS
mit
den
Handen
angefa&t
werden
mufB,
dirfen
Sie
niemals
die
Anschlisse
beriihren,
sondern
die
IS
nur
am
Kunststoffgehause,
wie
angedeutet,
anfassen
(Abb.
H).
5.
Bestuckungsmethode
Die
IS
mit
der
Klammer
besticken,
alle
Anschlisse
anléten,
erst
dann
die
Klammer
entfernen.
(Entsprechend
mit
dem
blankem
Draht
verfahren).
VorsichtsmaBnahmen
wahrend
der
C-MOS
1S.
Priifung
Die
C-MOS-IS
(Komplementaér
und
MOS)
sind
MOS-IS,
deren
Ausgangsstufen
aus
N-Kanal-u.
P-Kanal
FET’s
bestehen
und
kénnen
deshalb
mit
héherer
Geschwindigkeit
arbeiten.
Wenn
diese
Ausgangsstufen
mit
+Ug
oder
-—Ug
Spannung
Kontakt
bekommen,
kann
der
leitende
FET
zwischen
der
Versorgungs-
spannung
liegen
(Abb.
|).
Dasselbe
gilt
fur
alle
Ausgangsstufen,
die
elektrisch
miteinander
verbunden
sind.
Auch
solche,
die
nicht
in
unmittelbarer
Nahe
oder
auf
einer
anderen
Leiterplatte
sind,
k6nnen
zerstért
werden.
e
Take
a
short
length
of
fine
bare
wire
and
wind
it
around
the
IC
so
that
it
shorts
all
the
pins
of
the
IC,
while
it
is
still
in
the
urethane-
polyester
cushion
or
aluminum
foil.
This
ensures
that
all
the
pins
are
at
the
same
potential
(Fig.
E
to
G).
Diinner
blanker
Draht
fine
bare
wire
(stripped
solid
hookup
wire
etc.)
Leitfahiger
Schaumstoff
oder
Aluminium-Folie
partially
conductive
urethane-polyester
cushion
or
aluminum
foil
Abb.
G
Fig.
e
When
it
is
necessary
to
handle
the
IC
with
the
fingers,
do
not
touch
any
pin,
and
hold
the
IC
at
the
ends
of
its
plastic-package
case
as
shown
in
Fig.H.
5.
Method
of
Mounting
Insert
the
IC
while
holding
it
with
the
modified
clip,
and
solder
all
the
pins
with
the
clip
still
shorting
the
pins.
(Similarly,
solder
all
the
pins
while
the
bare
shorting
wire
is
still
wound
around
them).
Remove
the
clip
or
the
bare
shorting
wire
only
after
all
the
pins
have
been
soldered.
Precaution
while
Checking
C-MOS
ICs
The
C-MOS
ICs
(Complementary
MOS)
are
MOS
ICs
that
have
their
output
sections
made
up
of
N-channel
and
P-channel
push-pull
stages
to
increase
their
speed
of
operation.
/f
the
output
terminal
of
these
ICs
comes
into
contact
with
B+
or
B-
voltage,
then
the
FET
which
is
ON
at
that
time
will
either
become
shorted
or
open
(Fig.
1).
This
is
valid
for
all
the
output
sections
that
are
connected
together
by
the
interconnections.
Even
the
circuits
that
are
physically
separated
{and
not
on
the
same
board)
can
be
destroyed
simultaneously.
Zum
Beispiel
*
Example
:
Wenn
diese
Leitung
mit
Masse
+Ug
oder
-Ug
in
Berdhrung
kommt,
kann
die
[S
zerst6rt
werden.
Abb.
|
Fig.
if
this
line
is
grounded,
or
touches
B+
or
B-
bus...,
4
this
output
stage
of
this
IC
will
be
destroyed.

Questions and Answers:

Question and Answer IconNeed help?

Do you have a question about the Wega JPS-352 C2 and is the answer not in the manual?

Wega JPS-352 C2 Specifications

General IconGeneral
BrandWega
ModelJPS-352 C2
CategoryCassette Player
LanguageEnglish