Gama Resolución Precisión
200Ω 0,1Ω ±(1,2%+5)
2kΩ 0,001kΩ ±(1%+5)
20kΩ 0,01kΩ
200kΩ 0,1kΩ
2MΩ 0,001MΩ ±(1,2%+5)
20MΩ 0,01MΩ ±(1.5%+5)
Resistencia
Tensión circuito abierto: aproximadamente 0,25 V
Protección contra las sobrecargas: 250 Vcc/ca ef.
Temperatura (°C, °F)
Gama Resolución Precisión
de -20°C ~
1.000°C
1°C de-20°C~0°C±(5%+4)
de0°C~400°C±(1%+3)
de400°C~1000°C±(2%+3)
de 0°F ~
1800°F
1°F de0°F~50°F:±(5%+8)
de50°F~750°F:±(1%-+6)
de750°F~1800°F:±(2%+6)
Nota:
1. La precisión no tiene en cuenta la sonda de termopar.
2. Los datos de precisión suponen una temperatura ambiente
establede±1°C.Encasodemodicacióndelatemperatura
ambiente del orden de ±5°C, la precisión nominal se aplica al
cabo de una hora.
Capacidad
Gama Resolución Precisión
20 nF 0,01 nF ±(8%+10)
20 nF 0,1 nF ±(5%+5)
2µF 0.001µF
20µF 0.01µF
200µF 0.1µF
1000µF 1µF ±(8%+10)
Protección contra las sobrecargas:
200gamas µF et 1000µF: sin protección contra las sobrecargas
Otras gamas: Fusible F 250 mA/250 V
Tensión circuito abierto:
aproximadamente 0,5 V
Prueba hFE del transistor
Gama hFE Corriente de prueba Tensión de test
PNP y NPN 0 ~ 1000 lb≈2µA Vcc≈1V
Gama Descripción Observación
La caída de tensión
aproximativa
se visualiza.
Tensión circuito abierto:
aproximadamente 1,5 V
Si la resistencia es
inferior a aproxi-
madamente30Ω,
el buzzer integrado
emite un bip.
Tensión circuito abierto:
aproximadamente 0,5 V
Diodo y continuidad
Protección contra las sobrecargas: 250 Vcc/ca ef.
Para la prueba de continuidad:
Silaresistenciaestácomprendidaentre30Ωy100Ω,el
buzzer puede o no sonar. Si la resistencia es superior a
100Ω,elbuzzernosuena.
Gama Resolución Precisión
aparato
200 A
0,1m V/0,1 A ±(1,5%+5)
aparato
1.000 A
1 m V/1 A ±(1,5%+5)
Tensión de entrada máx.: 200 mV
Gama de frecuencia: de 40 Hz a 400 Hz
Respuesta: promedio, calibrada en función del
valor rms de la onda sinusoidal
Corriente CA (con pinza)