Gamme Résolution Précision
200Ω 0,1Ω ±(1.2%+5)
2kΩ 0,001kΩ ±(1%+5)
20kΩ 0,01kΩ
200kΩ 0,1kΩ
2MΩ 0,001MΩ ±(1.2%+5)
20MΩ 0,01MΩ ±(1.5%+5)
Résistance
Tension circuit ouvert : environ 0,25 V
Protection contre les surcharges : 250 Vcc/
ca eff
Température (°C, °F)
Gamme Résolution Précision
de -20°C à
1000°C
1°C de-20°Cà0°C±(5%+4)
de0°Cà400°C±(1%+3)
de400°Cà1000°C±(2%+3)
de0°Fà1800°F 1°F de0°Fà50°F:±(5%+8)
de50°Fà750°F:±(1%-+6)
de750°Fà1800°F:±(2%+6)
Nota :
1. La précision ne tient pas compte de la sonde à thermocouple.
2. Les données de précision supposent une température am-
biantestableà±1°C.Encasdemodicationdelatempérature
ambiante de l'ordre de ±5°C, la précision nominale s'applique au
bout d'une heure.
Capacité
Gamme Résolution Précision
20 nF 0,01 nF ±(8%+10)
20 nF 0,1 nF ±(5%+5)
2µF 0.001µF
20µF 0.01µF
200µF 0.1µF
1000µF 1µF ±(8%+10)
Protection contre les surcharges :
200gammes µF et 1000µF : pas de protection contre les
surcharges
Autres gammes : Fusible F 250 mA/250 V
Tension circuit ouvert :
environ 0,5 V
Test hFE du transistor
Gamme hFE Courant de test Tension de test
PNP et NPN 0 ~ 1000 lb≈2µA Vcc≈1V
Gamme Description Observation
La
chute de tension
approximative
s'afche.
Tension circuit ouvert :
environ 1,5 V
Si la résistance est
inférieure à environ
30Ω,lebuzzer
intégré émet un bip.
Tension circuit ouvert :
environ 0,5 V
Diode et continuité
Protection contre les surcharges : 250 Vcc/ca eff
Pour le test de continuité :
Silarésistanceestcompriseentre30Ωet100Ω,
le buzzer peut retentir ou pas. Si la résistance est
supérieureà100Ω,lebuzzerneretentitpas.
Gamme Résolution Précision
appareil
200 A
0,1m V/0,1 A ±(1.5%+5)
appareil
1000 A
1 m V/1 A ±(1.5%+5)
Tension d'entrée max. : 200 mV
Gamme de fréquence : de 40 Hz à 400 Hz
Réponse :moyenne, calibrée en fonction de la
valeur rms de l'onde sinusoïdale
Courant CA (avec pince)