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TRAS
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。此项指定 RAS 由读取
到写入内存所需时间。
TRTP
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。此设定控制读取到预充
电间的时间间隔。
TRC
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。行周期时间决定了完成
一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。
TWR
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。 它表示一个内存 BANK
被预充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间 (时钟周期) 。此延迟保证
了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。
TRRD
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。可以指定不同内存块的
active-to-active延迟，执行读指令和预充电之间的时间间隔。
TWTR
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。控制写数据到读指令
的延迟，它表示在同一BANK中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的
时钟周期。
1T/2T Memory Timing
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。此项控制SDRAM 命令
速率。 选择 [1T] 使控制器运行在一周期速率执行 (T=时钟周期 )。选择[2T] 使控
制器运行在二周期速率执行。
SoftWare Memory Hole
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此区域可调。 此项允许您打开或关闭
SoftWare Memory Hole 选项。
FSB/DRAM Ratio（FSB/DRAM 倍频）
此项允许您设置 FSB/DRAM 倍频。
Adjusted DRAM Frequency (MHz)（调整后的 DRAM 频率，单位MHz）
此项显示调整后的内存频率。只读。
HT Link Speed （HT连接速度）
此项允许您选择Hyper-Transport连接速度。设置[Auto], 系统将自动地检测HT连接
速度。
Adjust PCI-E Frequency (MHz)（调整 PCI-E频率，单位MHz）
此项允许您设定PCIE频率，单位MHz。
CPU Voltage (V)
此项允许您调整CPU电压。
DRAM Voltage (V)
此项允许您调整内存电压。
NB Voltage (V)
此项允许您调整北桥电压。
Spread Spectrum （频展）
当主板上的时钟震荡发生器工作时,脉冲的极值（尖峰）会产生EMI（电磁干
扰）。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰，所以脉冲波的
尖峰会衰减为较为平滑的曲线。如果您没有遇到电磁干扰问题，将此项设定为
Disabled，这样可以优化系统的性能表现和稳定性。但是如果您被电磁干扰问题困
扰，请将此项设定为Enabled，这样可以减少电磁干扰。注意，如果您超频使用，
必须将此项禁用。因为即使是微小的峰值漂移（抖动）也会引入时钟速度的短暂
突发，这样会导致您超频的处理器锁死。
注意
I如果您没有任何EMI方面的问题，要使系统获得最佳的稳定性和性能，请设置为
[Disabled]。但是如果您被EMI所干扰，请选择Spread Spectrum（频展）的值，
以减少EMI。
Spread Spectrum（频展）的值越高，EMI会减少，系统地稳定性也相应降低。
要为Spread Spectrum（频展）设定一个最合适的值，请参考当地EMI规章。
当您超频时，请关闭Spread Spectrum（频展），因为即使一个很微小的峰值漂
移也会引入时钟频率的短暂推动，这样会导致您超频的处理器锁死。
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