MSI 990XA-GD55 series - Page 134

Tc-28
MS-7640 主機板
DRAM Frequency
本項調整記憶體頻率。設為自動 [Auto]，系統會自動偵測記憶體頻率。
Adjusted DRAM Frequency
本項顯示調整後記憶體頻率。唯讀。
DRAM Tmng Mode
本欄位可自動偵測所有記憶體時序。
Advanced DRAM Con󰘰guraton
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。
Command Rate
本設定控制 DRAM command rate。
tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲，也就是於 SDRAM 接收讀取指令後，開始進行讀
取前的延遲時間 (以時脈計)。
tRCD
在DRAM更新時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址
(CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
本項控制列位址(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之
前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同
步動態隨機存取記憶體時。
tRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRTP
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
tRC
本項是記憶體完成列活化，到預充電整個週期所需的最小時脈。
tWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器 (sense
ampl󰘰er) 回復資料。
tRRD
本項設定不同記憶體分組之間 (actve-to-actve) 的延遲時脈。
tWTR
本項是寫入資料脈衝結束到列讀取指令開始間的最短時間。輸出入閘道會先驅動感
覺放大器，再開始讀取指令。
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