MSI 990XA-GD55 series - Page 166

Sc-28
MS-7640 主板
DRAM Frequency
此项允许您调整 DRAM 频率。设置 [Auto]，系统将自动检测 DRAM 频率。
Adjusted DRAM Frequency
此项显示调整后的内存频率。只读。
DRAM Tmng Mode
此区域可以自动检测所有内存时序。
Advanced DRAM Con󰘰guraton
按<Enter>键进入子菜单。
Command Rate
此项用来控制 DRAM 命令速度。
tCL
此项控制行位址信号（CAS）延迟，它决定 SDRAM 接收读取指令后，开始进行读
取前的延迟时间（在时钟周期内）。
tRCD
在DRAM重置时，列和栏位置是分开处理的。此项设定列位址(RAS)到行位址
(CAS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，DRAM 的效能越好。
tRP
此项控制列位址 (RAS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 DRAM 更新之前
预充电，更新可能会不完全，而且 DRAM 可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同
步动态随机存取内存时。
tRAS
此设置决定了 RAS 由读取到写入内存所需时间。
tRTP
此项指定读指令和预充电之间的时间间隔。
tRC
行周期决定了一个内存行用来完成一个完整循环（从行激活到活跃行的预充电）的
最小时钟周期数。
tWR
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路恢复
核心数据。
tRRD
此项指定不同内存块actve-to-actve的延迟。
tWTR
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许 I/O 在读命令开
始前超速感觉线路。
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶