Ru-40
MS-7583 Системная плата
▍
CH1/ CH2 tRCD
При регенерации заряда DRAM, строки и столбцы адресуются раздельно.
Этот пункт позволяет вам определить время перехода от RAS (строб адреса
строки) к CAS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов, тем быстрее работа
DRAM.
CH1/ CH2 tRP
Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых для предзаряда
Row Address Strobe (RAS). Если выделяется недостаточное время для того,
чтобы RAS набрал необходимый заряд, регенерация DRAM может оказаться
неполной и привести к потере данных. Этот пункт применим, только когда в
системе установлена синхронная память DRAM.
CH1/ CH2 tRAS
Эта установка определяет время, которое RAS затрачивает на чтение и запись
в ячейку памяти.
CH1/ CH2 tRFC
Эта установка определяет время, которое RFC затрачивает на чтение и запись
в ячейку памяти.
CH1/ CH2 tWR
Минимальная временная задержка для выполнения операции записи перед
командой предзаряда. Позволяет усилителям считывания записать данные в
ячейки памяти.
CH1/ CH2 tWTR
Минимальная временная задержка между выполнением команды записи и
началом команды считывания столбца. Позволяет системе ввода/вывода
сбросить напряжения на усилителях считывания.
CH1/ CH2 tRRD
Он определяет задержку перехода от активного-к-активному состоянию для
разных банков.
CH1/ CH2 tRTP
Временный интервал между командами чтения и предзаряда.
CH1/ CH2 tFAW
Этот пункт используется для установки таймингов tFAW.
Current CH1/ CH2 tdrRdTRd/ tddRdTRd/ tsrRdTWr/ tdrRdTWr/ tddRdTWr/
tsrWrTRd/ tddWrTWr/ tsrRDTRd/ tsrWrTWr
Эти пункты показывают дополнительные тайминги DRAM.
Channel 1/ Channel2 Advanced Memory Settng
Установка в [Auto] позволяет BIOS автоматически определять дополнительные
тайминги памяти. Установка в [Manual] позволяет установить следующие
дополнительные тайминги памяти.
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
▶
To Next Page
Loading...
