F-18
La Carte Mère MS-7151 ATX
Dispositifs Avancés De Chipset
MSI Vous rappelle...
Changez ces arrangements seulement si vous savez bien le chipset.
DRAM Timing
La valeur dans ce domaine dépend des paramètres d’exécution des chips de
mémoire installés(DRAM). Ne changez pas la valeur de l’arrangement d’usine à moins
que vous installiez la nouvelle mémoire qui a un rendement effectif different.
CAS Latency (CL)
Un contrôl, la latence de CAS, qui détermine la synchronisation retardée (dans
des rhythmes) avant que SDRAM commence une commande lue après
réception. Arrangements : [ 2.0 ], [ 2.5 ], [ 3.0 ]. [ 2.0 ] augmente l’exécution de
système plus tandis que [ 3.0 ] fournit l’exécution la plus stable
TRAS
Cet arrangement détermine les prises du temps RAS pour lire et écrire à une
cellule de mémoire. Options : [ 5CLK ] à [ 15CLK ].
TRP
Ce réglage contrôle le nombre de cycles pour Row Address Strobe (RAS) à
laisser précharger. Si le temps insuffisant est accordé pour le RAS
d’accumuler sa charge avant que la DRAM ne régénèrent, la régénération peut
être inachevée et la DRAM ne maintient pas les données. Cet article s’applique
seulement quand la DRAM synchrone est installée dans le système. En ptions
: [ 2CLK ] à [ 6CLK ].
TRCD
Quand la DRAM est régénérée, des rangées et les colonnes sont séparément
adressées. Cet article d’installation vous permet de déterminer la
synchronisation de la transition de RAS (stroboscope d’adresse de rangée) à
CAS (stroboscope d’adresse de colonne). Moins les rhythmes, plus
l’exécution de DRAM est rapide. En options : [ 2CLK ] à [ 6CLK ].
Bank Interleave
Ce champ choisit l’imbrication 2-bank ou 4-bank pour le SDRAM installé. En options :
[ Auto ], [Disabled ].
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