G-18
MS-7151 ATX Mainboard
Advanced Chipset Features
DRAM Timing
Der Wert in diesem Feld hängt von den Leistungsdaten der eingesetzten Speicherchips
(DRAM) ab. Ändern Sie die Werkseinstellungen nicht, es sei denn, Sie setzen neuen
Speicher ein, dessen Leistungsdaten von denen des ursprünglich installierten DRAMs
abweicht.
CAS Latency (CL)
Kontrolliert die Latenz des Spaltenadresssignals, die die Verzögerung im Timing
(in Taktzyklen) bestimmt, die zwischen der Annahme und Ausführung eines
Lesebefehls durch den RAM liegt. Mögliche Einstellungen: [2.0], [2.5], [3.0]. [2.0]
steigert die Systemleistung am deutlichsten, während [3.0] das höchste Maß an
Stabilität garantiert.
TRAS
Legt die Zeit fest, die das Reihenadresssignal (RAS) braucht, um eine Speicherzelle
auszulesen und in eine Speicherzelle zu schreiben. Mögliche Einstellungen: [5CLK]
(5 Takte) bis [15CLK](15 Takte).
TRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row
Address Strobe - RAS) für eine Vorladung bekommt. Wird dem RAS bis zur
Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben,
kann der Refresh unvollständig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Dieser
Menüpunkt ist nur relevant, wenn synchroner DRAM verwendet wird. Mögliche
Einstellungen: [2CLK](2 Takte) bis [6CLK](6 Takte).
TRCD
Wird der DRAM aufgefrischt, werden Reihe und Spalte getrennt angesprochen.
Diese Einstellung erlaubt es, das Timing des Überganges vom RAS
(Reihenadressierungssignal - row address strobe) zum CAS (Spalten-
Adressierungssignal - column address strobe) festzulegen . Je weniger Takte,
desto höher ist die Speichergeschwindigkeit. Mögliche Einstellungen: [2CLK](2
Takte) bis [6CLK](6 Takte).
Bank Interleaving
Gestattet die Wahl des 2-Bank oder 4-Bank versetzten Zugriffes auf den installierten
Speicher. Mögliche Einstellungen: [Auto], [Disabled] (ausgeschaltet).
MSI weist darauf hin...
Ändern SIe diese Einstellungen nur, wenn Sie mit diesem Chipsatz vertraut
sind.
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