Sony TA-E88 - Page 25

PREAMPLIFICATEUR
STEREO
SUPPLEMENT
Description des circuits et renseignements
Sujet:
concernant les pieces détachées.
Classer ce supplément avec le manuel! de service.
TABLE DES MATIERES
Section Titre Page.
1... Circuits des entrées Phono 1 et Phono2.............
2... Amplificateur 'de-téter oe: 00. ve bb ee ee
3...“ Amplificateur égaliseur oo... ee ce ee ones
4, Amplificateur adaptateur 2.0... ce eee eens
Si Amplificateur de.sortie sy... ee ee eS
6. ALIMON ta tones oe yore sia earen. Pieiedteanae aie cco Sacer
qi. Amplificateur commande de relais so... ee. ee,
8. Amplificateur adaptateur de sortie enregistrement .....
9... Autres amplificateurs’ oo... ee ce ea dae
10. - Petites résistances so 06 eee de eee ee ee ceva
lt. Condensateurs carrés au tantale.. 20.0... oe eee ce ee
12. Montage des composants... 00. cee eae
13. Indications sur le systeme d’interrupteur a came.......
14. Ordre ‘de montage des piéces des interrupteurs .........
TS: Alignement de Pangle d’un interrupteur .... 6... 0. a8
_TA-E88/E88B |
1. Circuits des entrées Phono 1 et Phono 2
Les
TA-E88/E88B
sont
équipés
de
deux
entrées
Phono
—
Phono
|
et
Phono
2.
Modéle AEP
1-1. Phono 1
®
Utilisation
de
cellules
4
haute
impédance
dont
la
tension
de
sortie
est
d’environ
2,5
mV
NO
4
Lorsque
le
sélecteur
de
fonction
(S1)
est
amené
Octobre
1978
sur
la
position
Phono
1,
ZjN1
Vimpédance
d’entrée
(150
kQ,
100
pF)
de
l’amplificateur
égaliseur
est
mise.
en
paralléle
avec
la
résistance
R1
(75
kQ),
branchée
a
la
borne
d’entrée
Phono
1.
Ce
montage
sert
d’impédance
de
charge
selon
la
cellule
utilisée.
(R
=
50kQ,
C
=
100
pF).
@
Utilisation
de
cellule
4
bobine.
mobile
4
faible
impedance
dont
la
tension
de
sortie
est
d’environ
125
nV
L’amplificateur
de
téte
est
connecté
lors
de
la
mise
en
fonction
de
$1.
De
méme,
selon
limpédance
de
la
cellule,
une
impédance
de
charge
de.
3Q
ou
de
40Q
est
connectée
a
la
borne
d’entrée
Phono
1.
Lorsque
Pimpédance
de
charge
de
la
cellule
est
402,
cest
ZIN2
Vimpedance
d’entrée
(100
Q)
de
Pamplificateur
de
téte
qui
est
utilisée,
lorsque
Pimpedance
de
charge
de
la
cellule
est
30,
la
resistance
R2
(33
92)
est
mise
en
paralléle
avec
ZIN1,
donnant
une
resistance
d’entrée
de
25
Q.
Phono 1
Phono 7
4
Phono
7
:
4
:
Sali
RI = | Ampli oe téte 7 Ziv a
4
TEKQ
oy
ZIN2
ampli
de
150
kQ
o> téte 100 pF
4 ro)
9 32 —Fonction—
ot R2 Phonot
6
402
402—
!
Ved
Ampli
de.
téte
6 32
7
Fig.
7
7
1-2. Phono 2
8
®
entrée
Phono.
2
est.
dans.
ses
grandes
lignes
8
semblable
a
l’entrée
Phono
1
mais
possede.
en
plus de.ce dernier-un sélecteur de charge de cellule.
Lors de Putilisation de cellules 4 ‘haute impédance;,
Phono 2
—2
Ao owt TR
:
' t
Koll be 6 :
—Charge R— f —Charge Cc—
10k24 100K 100 pF a 500 pF
(réglable par pas de 10kQ):°> (réglable par pas de’ 100 pF}
Phono 2
=)
O
IN
¥.
Fig.
2
MANUEL
DE
SERVICE
a
ce
selecteur
est
réglable
par
paliers
dans
une
gamme
de
104
100kQ)
et
de
100
4500
pF,
®
Ce
commutateur
(S801)
qui
est
situé
sur
le
coffret
supérieur
est
un
commutateur
de
type
rotatif.
Fig. 3
2. Amplificateur de téte
Généralement
les
signaux
de
trés
faible
niveau
pro-
duits
par
une
cellule
a
bobine
mobile
sont
amplifiés
par
un
transformateur
élévateur.
Dans
les
TA-E88/
E88B,
cette
amplification
est
réalisée
par
un
amplifi-
cateur
de
téte
incorporé.
Les
detériorations
du
rapport
signal/bruit,
provoquees
par
Vutilisation
a@élément.
d’amplification
actifs
(plutot
que.
des
transformateurs
passifs)
ont
été
solutionnées’
avec
succés.
dans
les
TA-E88/E88B
par
Pemploi
de
tran-
sistors.
mis
en.
paralléle
a
l'intérieur
de
l'amplificateut
de
téte..
L’amplificateur
de
téte
comprend
un
étage
d@amplification
principal
constitué
de
huit
transistor
(Q101
4
Q108)
branchés
en
paralléle,
et
d’une
autre
série
de
huit
transistors
(Q109
A
Q116)
connectés
en
différentiel
sur
cet
étage
principal,
donnant
un
gain
final.
de
27
dB
avec
un
faible
bruit.
Bt
courant-|_.
miroir
Pay a ee Sp go OSS 1
entrée Te ee
eee Euless. =
7 Q101--108 109-116 aa
B~
ampli adaptateur
Fig. 4
® Branchement en paralléle
Lorsqu’un transistor est utilisé 4 des fins d’ampli-
fication,
le
courant
circulant
entre
le
collecteur
et
lemetteur
de
ce
transistor
est
contrélé,
Les
signaux
provenant
de
la
base
traversent
la
résist-
ance
interne
rbb’,
résistance
montée
en
série
(cette
résistance
est
un
des
facteurs
déterminants
qui
doivent. €tre considérés dans Vamplification
haute
fréquence).
Le
diagramme
détaillé
est
montré Fig. 5.