DVM830L
05.05.2010 24 ©Velleman nv
3.6. Transistortest hFE
1. Verbinden Sie die schwarze Messleitung mit der COM-Buchse und die rote
Messleitung mit der mA-Buchse.
2. Stellen Sie den BEREICHSschalter auf “hFE”.
3. Überprüfen Sie um welchen Typ Transistors es sich handelt (NPN oder PNP)
und lokalisieren Sie die Basis, den Emitter und den Kollektor. Stecken Sie die
Leitungen in die entsprechenden Öffnungen der Transistorbuchse.
4. Verbinden Sie die schwarze Messleitung mit der COM-Buchse und die rote
Messleitung mit dem anderen Anschluss der Transistorbuchse.
5. Jetzt können Sie den durchschnittlichen hFE-Wert ablesen. (Testverhältnisse :
Basisstrom:10µA, Vce : 2.8V).
4. Technische Daten
Bis ein Jahr nach der Kalibrierung dürfen Sie eine optimale Genauigkeit
erwarten. Die idealen Wetterverhältnisse sind : 23°C (± 5°C) mit einem
relativen Feuchtigkeitsgrad von max. 75%.
4.1 Allgemein
Max. Spannung zwischen
Eingängen und Erdung
500VDC of 500VAC rms (Sinuswelle)
Display 3 ½ Digit LCD, 2-3 Ablesungen pro Sekunde.
Überlastungsschutz 200mA-Bereich: F 0.5A/250V(rückstellbar)
10A-Bereich: F 10A/250V
Stromversorgung 2 x AAA-Batterien (LR03C, nicht mitgeliefert)
Bereichseinstellung Bedienungsanleitung
Polaritätsanzeige "-" auf dem Display
Außenbereichanzeige "1" erscheint automatisch auf dem Display
Abmessungen 126 x 70 x 27mm
4.2 DC-Spannung
Bereich Auflösung Genauigkeit
200mV 100µV ±0.5% ± 2 Digits
2000mV 1mV
±0.8% ± 2 Digits 20V 10mV
200V 100mV
1000V 1V ±1.0% ± 2 Digits
Überlastungsschutz: 220Vrms AC für den 200mV-Bereich und 500VDC oder
500Vrms AC für jeden anderen Bereich.
4.3 AC-Spannung
Bereich Auflösung Genauigkeit
200V 100mV
±1.5% ± 10 Digits
500V 1V
Überlastungsschut: 500VDC oder 500Vrms für jeden Bereich.
Frequenzbereich: 45Hz - 450Hz
4.4 DC Strom
Bereich Auflösung Genauigkeit
2000µA 1µA
± 1.2% ± 2 Digits
20mA 10µA
200mA 100µA ± 1.5% ± 2 Digits
10A 10mA
± 2.5% ± 2 Digits
Überlastungsschutz: 0.5A/250V (rückstellbar) + 10A/250V Sicherung
Eingangsstrom: max. 10A während 15 Sekunden (10A/250V Sicherung)
Messung des Spannungsabfalls: 200mV
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