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ます。一般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がり
ます。
TRP
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定し
ます。RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するた
めの時間が足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMが
データを保持できなくなることがあります。システムに同期DRAMをインス
トールした場合のみこの項目が利用できます。
TRAS
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。RAS(行アドレス信号)を発信してからデータが読み出されるまでの時間
です。
TRTP
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、この設定はデータ読み込みと
プリチャージ命令の時間間隔をコントロールします。
TRC
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。RAS(行アドレス信号)の読み込みからプリチャージが完了するまでの１サ
イクルの時間です。通常はTRASとTRPの合計時間を入力します。
TWR
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整でき
ます。プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定
するのがTWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッフ
ァのデータがメモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要がありま
す。
TRRD
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。異なるメモリバンク間でデータアクセスを行うための遅延時間を手動で
設定します。
TWTR
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの
間隔時間を手動で設定します。
1T/2T Memory Timing (1T/2Tメモリタイミング)
ここでSDRAMコマンド率をコントロールできます。[1T]を選択すると、
SDRAM信号コントローラーが1T(T=クロックサイクル)単位で制御され、
[2T]では2T単位で制御されます。
SoftWare Memory Hole (ソフトウェアメモリ穴)
DRAMタイミングを[Manual]に設定すると、この項目が調整できます。Soft-
Ware Memory Holeを有効/無効にします。
FSB/DRAM Ratio (FSB/DRAM倍率)
FSBとメモリクロックを非同期で動作させる場合、本項目で動作比率を設定し
ます。
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