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Advance DRAM Configuration > DRAM Timing Mode（内存时序模式）
设为 [Auto]，自动由 BIOS 依 DRAM 模块上的 SPD EEPROM 组态，来设定 DRAM CAS#
Latency。
Advance DRAM Configuration > DRAM CAS Latency (CL)
内存时序模式设为手动 [Manual]，可调整本字段。本项控制行地址信号(CAS)延迟，也就是
于 SDRAM 接收读取指令后，开始进行读取前的延迟时间(以频率计)。
Advance DRAM Configuration -> tRCD
内存时序模式设为手动时，可调整本字段。在 DRAM 重置时，列和栏地址是分开处理的。
本项设定列地址 (RAS)到行地址 (CAS) 和讯号之间的延迟时间。时序数越少，DRAM 的效
能越好。
Advance DRAM Configuration -> tRP
内存时序模式设为手动 [Manual]，可调整本字段。本项控制列地址(RAS)预充电的时序。若
无足够时间，让列地址在 DRAM 更新之前预充电，更 新 可 能 会不完全，而且 DRAM 可能漏
失数据。本项仅适用于系统安装同步动态随机存取内存时。
Advance DRAM Configuration -> tRAS
内存时序模式设为手动[Manual]，可调整本字段。本项指定 RAS 由读取到写入内存所需时间。
FSB/DRAM Ratio
本项设定 CPU FSB 频率的 Ratio 以及 DRAM 频率，以开启 CPU 与 DRAM 分别以不同频率
组合(异步超频)执行。本设定会依 CPU FSB 频率预设不同而有所差异。
Auto Disable DIMM/PCI Frequency（自动关闭 DIMM/PCI 频率）
设为开启[Enabled]，系统会从空出的插槽移除(关闭)频率，以减少电磁波干扰(EMI)。
Spread Spectrum（频谱扩散）
主板的频率产生器开展到最大时，脉冲的极大值突波，会引起电磁波干扰(EMI)。频谱扩散功
能，可藉由调节脉冲以减少 EMI 的问题。若无电磁波干扰的问题，请将本项目设为关闭
[Disabled]，以达到较佳的系统稳定性及效能。若要兼容 EMI 规范，请选择开启[Enabled]，
以减少电磁波。切记，如需进行超频，请务必将本功能关闭，因为即使是些微的剧波，均足
以引起频率速度的增快，进而使超频中的处理器被锁定。
注意:
若无电磁波干扰的问题，请设为关闭，以达较佳 的系统稳定性及效能。但若要兼容 EMI 规范，
请选择要减少电磁波的范围。
频谱扩散的数值越大，可减少较多电磁波，但相对系统就越不稳定。欲知频谱扩散适当数值，
请查询当地规范。
如需进行超频，请务必将本功能关闭，因为即使是些微的剧波，均足以引起频率速度的增快，
进而使超频中的处理器被锁定。
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