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Current CPU Frequency（目前 CPU 頻率）
本項顯示目前的 CPU 頻率。唯讀。
Current DRAM Frequency（目前 CPU 頻率）
本項來設定已安裝 DRAM 頻率。唯讀。
Advance DRAM Configuration > DRAM Timing Mode（記憶體時序模式）
設為 [Auto]，自動由 BIOS 依 DRAM 模組上的 SPD EEPROM 組態，來設定 DRAM CAS#
Latency。
Advance DRAM Configuration > DRAM CAS Latency (CL)
記憶體時序模式設為手動 [Manual]，可調整本欄位。本項控制行位址信號(CAS)延遲，也就
是於 SDRAM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲時間(以時脈計)。
Advance DRAM Configuration -> tRCD
記憶體時序模式設為手動時，可調整本欄位。在 DRAM 重置時，列 和欄位址是分開處理的。
本項設定列位址 (RAS)到行位址 (CAS) 和訊號之間的延遲時間。時序數越少，DRAM 的效
能越好。
Advance DRAM Configuration -> tRP
記憶體時序模式設為手動 [Manual]，可調整本欄位。本項控制列位址(RAS)預充電的時序。
若無足夠時間，讓列位址在 DRAM 更新之前預充電，更新可能會不完全，而且 DRAM 可能
漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
Advance DRAM Configuration -> tRAS
記憶體時序模式設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需
時間。
FSB/DRAM Ratio
本項設定 CPU FSB 時脈的 Ratio 以及 DRAM 頻率，以開啟 CPU 與 DRAM 分別以不同頻率
組合(非同步超頻)執行。本設定會依 CPU FSB 時脈預設不同而有所差異。
Auto Disable DIMM/PCI Frequency（自動關閉 DIMM/PCI 頻率）
設為開啟[Enabled]，系統會從空出的插槽移除(關閉)時脈，以減少電磁波干擾(EMI)。
Spread Spectrum（頻譜擴散）
主機板的時脈產生器開展到最大時，脈衝的極大值突波，會引起電磁波干擾(EMI)。頻譜擴散
功能，可藉由調節脈衝以減少 EMI 的問題。若無電磁波干擾的問題，請將本項目設為關閉
[Disabled]，以達到較佳的系統穩定性及效能。若要符合 EMI 規範，請選擇開啟[Enabled]，
以減少電磁波。切記，如需進行超頻，請務必將本功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足
以引起時脈速度的增快，進而使超頻中的處理器被鎖定。
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