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Advance DRAM Configuration > CAS Latency (CL)
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。SDRAM が読み込みコ
マンドを受信した後、読み込みを開始するまでのタイミング遅延である CAS レイテンシーを設定し
ます。
Advance DRAM Configuration > tRCD
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。RAS(row address
strobe)から CAS (column address strobe)への切替タイミングを手動で設定します。一般的にク
ロックサイクルの値が小さいほど DRAM の動作速度は向上しますがシステムが不安定になる場
合もあります。
Advance DRAM Configuration > tRP
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。DRAMがリフレッシュ
に必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定します。RAS 信号のクロック数がこの時間を規定
しますが。電荷を蓄積するための時間が足りない場合には DRAM のリフレッシュは不完全になり、
DRAM がデータを保持できなくなることがあります。
Advance DRAM Configuration > tRAS
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。この設定はメモリセル
からの読み取り時間またはメモリセルへの書き込み時間を決定します。
FSB/ DRAM Ratio
この設定で CPU FSB クロック& DRAM 周波数の倍率をコントロールし、CPU & DRAM を異なる
周波数組合せ(ノンシンクロナスオーバークロック)で動作させます。設定オプションは CPU FSBク
ロックのプリセットによって違います。
Auto Disable DIMM/ PCI Frequency
[Enabled]に設定すると、システムは DIMM 回路と PCI 回路から使用していないクロック信号を除
去し、電磁妨害ノイズ(EMI)を最小化します。
Spread Spectrum
クロックジェネレータがクロック信号を生成する際に、スパイクと呼ばれる電磁妨害ノイズ(EMI)も
同時に生成されます。通常使用時は Disabled に設定することでシステムの安定性と性能を最適
化できますが、万が一電波妨害などが発生した場合は Spread Spectrum 機能を Enabled に設
定して障害を軽減させることができます。但し、オーバークロック動作実験を行う際は、必ず
Disabled に設定し、できるだけクロック信号の精度を高めた方が良いケースが多いです。
注意:
特に電波障害などの問題が無い場合は、システムの安定性と性能を確保するために[Disabled]
に設定して下さい。また、電波障害などが発生した場合は、必ず[Enabled]に設定して障害の軽
減に努めて下さい。
Spread Spectrum の値は大きければ大きいほどノイズ除去効果が高まりますが、システムの安
定度は低下します。
オーバークロック動作実験をする場合は、必ず[Disabled]に設定して下さい。
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