Fr-29
Franças
EIST
L’Enhanced  Intel  SpeedStep  Technologe  vous  permet  de  congurer  le  nveau  de 
performance du mcroprocesseur s l’ordnateur fonctonne en battere ou en l’adapteur 
d’almentaton. Ce domane vous apparîtra après que vous nstallez le CPU qu supporte 
la technologe speedstep. 
Intel Turbo Boost
Cet artcle apparaît lorsque vous nstallez un CPU supportant l’Intel Turbo Boost Tech
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nologe. Ce menu sert à actver ou désactver l’Intel Turbo Boost Technologe. Elle peut 
augmenter la  fréquence  du  processeur dynamquement lorsque les  applcatons  de
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mandent une melleure performance et le TDP reste dans la plage de température. Elle 
peut également orr une augmentaton de la pussance sans erreurs (Dynamque aug
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mentaton, basse par étape). C’est la nouvelle technologe Intel pour nouveaux CPU.
DRAM Frequency
Ce menu vous permet d'ajuster la fréquence DRAM. Veullez noter que le comportement 
d'overclockng n'est pas garant.
Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture unquement.
DRAM Tmng Mode
Le chox de décson s le tmng DRAM est contrôlé par le SPD (Seral Presence Detect) 
EEPROM sur le module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sous-
menu suvant “Advance DRAM Conguraton” d'être détermné par le BIOS basé sur la 
conguraton du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de congurer le tmngs 
DRAM et le sous-menu suvant “Advance DRAM Conguraton” relatfs manuellement.
Advanced DRAM Conguraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.  
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d’ordre DRAM. 
tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng  (en  cycle  d’horloge) 
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l’avor reçu.
tRCD
Quand le DRAM est rafraîch, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparé
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ment. Cet artcle vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row 
address strobe) à CAS (column address strobe). Mons fonctonne l’horloge, plus 
vte est la performance de DRAM.
tRP
Cet artcle contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) sot 
autorsé à pré-charger. S’l n’y a pas assez de temps pour que le RAS accumule sa 
charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être ncom
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plet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cet artcle s’applque seulement 
quand le DRAM synchrone est nstallé dans le système.
tRAS
L’artcle détermne le temps que le  RAS  prend  pour  lre  ou  écrre une cellule de 
mémore.
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