MSI Z77A-GD55 - Page 204

Sc-34
MS-7751 主板
此项显示 CPU/ CPU I/O/ DRAM/ GPU 电压。只读。
DRAM Reference Clock
此项允许您为 CPU 定义内存基准时钟。请注意此超频行为得不到保障。
DRAM Frequency
此项允许您调整内存频率。请注意此超频行为得不到保障。
Adjusted DRAM Frequency
此项显示已调整 DRAM 频率。只读。
Extreme Memory Pro󰘰le (X.M.P)
此项用来开启/关闭 Intel Extreme Memory Pro󰘰le (XMP)选项。最近信息请参阅 Intel 的
官方网站。
DRAM Tmng Mode
选择内存时序是否被内存模组的 SPD (Seral Presence Detect) EEPROM控制。设置
为 [Auto] 开启内存时序选项，BIOS 根据在 SPD 中的配置设置下面的” Advance DRAM
Con󰘰guraton”子菜单选项。选择 [Lnk] 或 [Unlnk] 允许用户配置内存时序和手动设置下
列相关 “Advance DRAM Con󰘰guraton” 子菜单。
Advanced DRAM Con󰘰guraton
按<Enter>进入子菜单。
Command Rate
此项用来控制 DRAM 命令速度。
tCL
此项控制行位址信号（CAS）延迟，它决定SDRAM接收读取指令后，开始进行读取
前的延迟时间（在时钟周期内）
tRCD
在DRAM重置时，列和栏位置是分开处理的。此项设定列位址(RAS)到行位址
(CAS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，DRAM 的效能越好。
tRP
此项控制列位址 (RAS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 DRAM 更新之前
预充电，更新可能会不完全，而且 DRAM 可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同
步动态随机存取内存时。
tRAS
此设置决定了 RAS 由读取到写入内存所需时间。
tRFC
此设置决定了 RFC 由读取到写入内存所需时间。
tWR
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路恢复
核心数据。
tWTR
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许 I/O 在读命令开
始前超速感觉线路。
tRRD
此项指定不同内存块actve-to-actve的延迟。
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