Ru-32
MS-7514 Системная плата
Advance DRAM Configuration
Нажмите <Enter> для входа в подменю и появляется нижеследующий экран.
MEMORY-Z
Нажмите <Enter> для входа в подменю и появляется нижеследующий экран.
DIMM1~4 Memory SPD Infromation
Нажмите <Enter> для входа в подменю и появляется нижеследующий экран.
DIMM1~4 Memory SPD Infromation
Этот пункт позволяет видеть подробную информацию об установленных
модулях памяти, в частности тип памяти, макс. пропускную
способность, производителя, модель, серийный номер,
продолжительность цикла SDRAM, DRAM TCL, DRAM TRCD, DRAM TRP,
DRAM TRAS, DRAM TRFC, DRAM TWR, DRAM TWTR, DRAM TRRD и DRAM
TRTP. Только для чтения.
CAS# Latency (CL)
Этот пункт контролирует время задержки CAS, которое определяет период
(в тактах генератора) между получением SDRAM команды чтения и
началом ее выполнения.
tRCD
При регенерации заряда DRAM, строки и столбцы адресуются раздельно.
Этот пункт позволяет вам определить время перехода от RAS (строб
адреса строки) к CAS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов, тем
быстрее работа DRAM.
tRP
Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых для
предзаряда Row Address Strobe (RAS). Если выделяется недостаточное
время для того, чтобы RAS набрал необходимый заряд, регенерация DRAM
может оказаться неполной и привести к потере данных. Этот пункт
применим, только когда в системе установлена синхронная DRAM.
tRAS
Эта установка определяет время, которое RAS затрачивает на чтение и
запись в ячейку памяти.
1N/2N Memory Timing
Этот пункт определяет скорость выдачи команд SDRAM. Выбор [1N]
переводит сигнальный котроллер SDRAM в режим работы 1N (N=clock
cycles). Выбор [2N] переводит сигнальный котроллер SDRAM в режим
работы 2N.
Advance Memory Setting
Установка в [Auto] даёт возможность BIOS автоматически определять
тайминги памяти. Установка в [Manual] позволяет установить
дополнительные тайминги памяти.