De-32
MS-7514 Mainboard
Advance DRAM Configuration
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MEMORY-Z
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DIMM1~4 Memory SPD Infromation
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DIMM1~4 Memory SPD Infromation
Zeigt die momentane Informationen der aktuellen DIMM Speicher-
Geschwindigkeit an, z.B. der Speichertyp, die maximale Bandweite, die
Fabrikation, die Teilenummer, die Seriennummer, die SDRAM-Taktzeit, DRAM
TCL, DRAM TRCD, DRAM TRP, DRAM TRAS, DRAM TRFC, DRAM TWR,
DRAM TWTR, DRAM TRRD und DRAM TRTP. Sie sind schreibgeschützt.
CAS# Latency (CL)
Hier wird die Verzögerung im Timing (in Taktzyklen) eingestellt, bevor das SDRAM
einen Lesebefehl nach dessen Erhalt auszuführen beginnt.
tRCD
Lautet die Einstellung unter DRAM Timing [Manual], können Sie hier das DRAM
Timing angeben. Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat
adressiert. Dies gestattet es, die Anzahl der Zyklen und der Verzögerung im
Timing einzustellen, die zwischen den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die
verwendet werden, wenn der DRAM beschr ieben, ausgelesen oder aufgef
rischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit fuhrt zu hoherer Leistung, während
langsamere Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb bieten.
tRP
Lautet die Einstellung unter DRAM Timing [Manual], können Sie hier das DRAM
Timing angeben. Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das
Reihenadressierungssignal (Row Address Strobe - RAS) für eine Vorladung
bekommt. Wird dem RAS bis zur Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum
Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der Refresh unvollständig ausfallen und
das DRAM Daten verlieren. Dieser Menüpunkt ist nur relevant, wenn synchroner
DRAM verwendet wird.
tRAS
Stellt die Zeit der RAS Lese- und Schreibzugriffe ein.
1N/2N Memory Timing
Legt die SDRAM Kommandorate fest. Die Einstellung 1T lässt den SDRAM Signal
Kontroller mit einem 1T (Taktzyklus) laufen. Bei 2T läuft er mit zwei Zyklen. 1T ist
schneller als 2T.
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