VOLTCRAFT VC-160 - Transistor Test

GTransistortest
Der Transistorsockel ist nicht gegen Überlast
geschützt.
Zur Messung der Verstärkung eines Transistors gehen Sie wie folgt
vor:
1. Stellen Sie den Drehschalter auf „hFE“.
2. Stecken Sie den zu prüfenden Transistor in den Meßsockel.
Achten Sie dabei auf folgende Punkte:
- beachten Sie die Anschlußfolge (z.B. C-B-E) des Meßobjekts
(stehen in der Transistor-Vergleichstabelle/-Liste).
- Einige Transistortypen beinhalten Basis-Emitterwiderstände,
wodurch die Messung verfälscht werden kann.
- Der hFE-Meßwert ist nicht absolut genau. Er sagt lediglich
aus, ob der Transistor arbeitet oder nicht. Die tatsächliche Ver-
stärkung eines Transistors hängt von seinem Arbeitsstrom ab.
Dieses Multimeter kann einen Basisstrom bis zu 10 µA, bei ei-
ner Uce von 1,5V liefern. Der bei der Messung fließende Kollek-
torstrom wird erfaßt und daraus der hFE-Wert errechnet.
- Es können keine Transistoren gemessen werden, welche in
eine Schaltung eingebaut sind.
- Sie können mit diesem Multimeter keinen hfe-Wert von FET’s
oder anderen unipolaren Transistoren messen.
-Wenn die Anschluß-“Beinchen“ der Meßobjekte nicht in den
Sockel passen (zu „dick“), versuchen Sie es nicht mit Gewalt,
denn dadurch kann der Sockel beschädigt werden.
- Die hFE-Messung reagiert auf Temperaturschwankungen. So-
bald Sie den Transistor anfassen und in den Sockel stecken
und ihn mit Ihren Fingern wärmen, kann sich der Meßwert än-
dern. Sollte sich ein instabile Anzeige ergeben, so entnehmen
Sie den Transistor und lassen ihn auf Zimmertemperatur ab-
kühlen.
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f) Commutateur des fonctions de mesure = commutateur
rotatif
Le commutateur rotatif doit pendant la connexion
avec un objet à mesurer en aucun cas être déplacé,
l'appareil de mesures pourrait en être détérioré, re-
spectivement vous risquez d'encourir un danger de
mort pour des tensions supérieures à 25 VACrms,
respectivement 35 VDC.
Dans le sens des aiguilles d'une montre, les mesures suivantes
sont possibles :
A = = Courant continu (5 intervalles "4200 µA à 10A")
hFE = Mesure du paramètre hFE des transistors
V = = Tension continue avec commutation automatique de
la plage
V ~ = Tension alternative avec commutation automatique
de la plage
–
I
–
= Test de diodes
OHM = Mesure des résistances (5 intervalles)
= Vérification de la connexion acoustique
A ~ = Courant alternatif (5 catégories "400 µA jusqu'à 10A")
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