EasyManua.ls Logo

MSI H55M-E32 series - Page 136

MSI H55M-E32 series
138 pages
To Next Page IconTo Next Page
To Next Page IconTo Next Page
To Previous Page IconTo Previous Page
To Previous Page IconTo Previous Page
Loading...
Ru-30
MS-7636 Системная плата
Русский
MS-7636 Системная плата
Русский
DRAM Timing Mode
Определяет будут ли временные параметры DRAM контролироваться данными
из SPD (Serial Presence Detect) EEPROM на модуле DRAM. При выборе значения
[Auto] временные параметры DRAM, включая пункты меню, перечисленные ниже,
устанавливаются BIOS в соответствии с данными из SPD. При установке значения
[Manual], этот пункт позволяет вручную регулировать временные параметры
DRAM и появляется соответствующее подменю “Advance DRAM Con󰘰guration”.
Advance DRAM Con󰘰guration
Нажмите <Enter> для входа в подменю.
CH1/ CH2 1T/2T Memory Timing
Этот пункт определяет скорость работы памяти SDRAM. Выбор [1N] переводит
контроллер памяти SDRAM в режим работы 1N (N=clock cycles). Выбор [2N]
переводит контроллер памяти SDRAM в режим работы 2N.
CH1/ CH2 CAS Latency (CL)
Этот пункт контролирует время задержки CAS, которое определяет период
тактах генератора) между получением памятью SDRAM команды чтения и
началом ее выполнения.
CH1/ CH2 tRCD
При регенерации заряда DRAM, строки и столбцы адресуются раздельно. Этот
пункт позволяет вам определить время задержки между RAS (строб адреса
строки) и CAS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов, тем быстрее работа
DRAM.
CH1/ CH2 tRP
Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых для предзаряда
Row Address Strobe (RAS). Если выделяется недостаточное время для того,
чтобы RAS набрал необходимый заряд, регенерация DRAM может оказаться
неполной и привести к потере данных. Этот пункт применим, только когда в
системе установлена синхронная DRAM.
CH1/ CH2 tRAS
Эта установка определяет время, которое RAS затрачивает на чтение и запись
в ячейку памяти.
CH1/ CH2 tRFC
Эта установка определяет время, которое RFC затрачивает на чтение и запись
в ячейку памяти.
CH1/ CH2 tWR
Минимальная временная задержка для выполнения операции записи перед
командой предзаряда. Позволяет усилителям считывания записать данные в
ячейки памяти.
CH1/ CH2 tWTR
Минимальная временная задержка между выполнением команды записи и
началом команды считывания столбца. Позволяет системе ввода/вывода
сбросить напряжения на усилителях считывания.
CH1/ CH2 tRRD
Он определяет задержку перехода от активного-к-активному состоянию для

Other manuals for MSI H55M-E32 series

Related product manuals