MSI MS-7793 - Page 174

Tc-36
MS-7793 主機板
tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲，也就是接收讀取指令後，開始讀取前的延遲時序
(以時脈計)。
tRCD
本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的轉換時序。時脈數越少，記憶體的效
能就越好。
tRP
本項控制列位址 (RAS) 預充電的時脈週期。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體
更新之前預充電，記憶體可能無法保留資料。本項在系統已安裝同步記憶體時才能
適用。
tRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRTP
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
tRC
本項是記憶體由列活化到預充電整個所需的最小週期。
tWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器 (sense
ampl󰘰er) 將資料回復。
tRRD
本項設定不同記憶體分組之間 (actve-to-actve) 的延遲時序。
tWTR
本項是寫入資料結束，一直到行讀取指令開始之間的最短間距。讓輸出入閘道驅動
感覺放大器後，再開始讀取指令。
tRFC0/ 1
本項決定 RFC0/1 由記憶體讀取及寫入記憶體所需時間。
Advanced Channel 1/ 2 Tmng Con󰘰guraton
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。接著可在各個通道設定進階記憶體時序。
CPU Core Vdroop O󰘯set Control
本項用來選擇 CPU 核心 Vdroop 補償控制模式。
CPU NB Vdroop O󰘯set Control
本項用來選擇 CPU-NB Vdroop 補償控制模式。
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