wtw LF 320 - Meßwertspeicher; Speichern; Meas. Value Memory; Storage

Messen
Measurement
Meßwertspeicher
Meas. value memory
24
BA52207/03.95/Pap/LF320-SET-1
BA52207/03.95/Pap/LF320-SET-1
25
Bereiche bei gewählter Zellenkonstante 0,450 cm
-1
... 1,300 cm
-1
:
Ranges at selected cell constant 0.450 cm
-1
... 1.300 cm
-1
:
Drücken von
Depressing
Meßbereich
Meas. range
Auflösung
Resolution
1 0.0 ... 199.9 µS/cm TDS 0.1 µS/cm
2 0 ... 1999 µS/cm TDS 1 µS/cm
3 0.00 ... 19.99 mS/cm TDS 0.01 mS/cm
4 0.0 ... 199.9 mS/cm TDS 0.1 mS/cm
5 0 ... 500 mS/cm TDS 1 mS/cm
6 0 ... 70.0 Sall 0.1 mS/cm
7 0 ... 1999 mg/l TDS 1 mg/l
Sprung zu 1
Step to 1
Bereiche bei gewählter Zellenkonstante 0,1 cm
-1
fest:
Ranges at selected cell constant 0.1 cm
-1
fest:
Drücken von
Depressing
Meßbereich
Meas. range
Auflösung
Resolution
1 0.0 ... 19.99 µS/cm TDS 0.01 µS/cm
2 0.0 ... 199.9 µS/cm TDS 0.1 µS/cm
3 0 ... 1999 µS/cm TDS 1 µS/cm
4 0.0 ... 19.99 mS/cm TDS 0.01 mS/cm
5 0.0 ... 99.9 mS/cm TDS 0.1 mS/cm
6 0 ... 70.0 Sall 0.1 mS/cm
7 0 ... 1999 mg/l TDS 1 mg/l
Sprung zu 1
Step to 1
Allgemeine Hinweise zur Temperaturkompensation bei der Leitfähigkeitsmessung:
Applikationsbericht Nr. LF 1194055
General hints for temperature compensation at the conductivity measurement:
Application report no. LF 1194055
Speichern / Storage
Speichergröße: Max. 50 Meßwerte / Memory capacity: Max. 50 meas. values
Das Speichern ist nur in der
Betriebsart LF, Sal oder TDS
möglich.
Storage is only possible in
operation mode LF, Sal or TDS.
38. Speicherplatz.
Mem: Speicherfunktion
eingeschaltet.
38th storage location.
Mem: storage function switched
on.
Nach Belegen des 50. Speicher-
platzes zeigt das Gerät vor jedem
Speichern
Ful Sto
an.
After occupying of the 50th storage
location the instrument displays
Ful Sto
before each storage.
RUN/ENTER überschreibt
beginnend bei 1 jeweils einen
bereits belegten Speicherplatz.
RUN/ENTER overwrites beginning
at 1 an already occupied storage
location.
Jede andere Taste verhindert das Speichern.
Each other key prevents the storage.