Fr-33
Franças
DRAM Tmng Mode
Le type de tmng DRAM est contrôlé par lEEPROM SPD (Seral Presence Detect)
du module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sousmenu suvant
Advance DRAM Conguraton est détermné par le BIOS en foncton de la conguraton
du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de congurer le tmngs DRAM et le
sous-menu Advance DRAM Conguraton manuellement.
Advanced DRAM Conguraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux dordre DRAM.
tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle dhorloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après lavor reçu.
tRCD
Cette foncton vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Plus basse est la fréquence de
lhorloge, plus rapde est la performance de la DRAM.
tRP
Cette foncton contrôle le nombre de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS)
est autorsé à pré-charger. Sl ny a pas assez de temps pour que le RAS accumule
sa charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être n
-
complet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cette foncton sapplque
seulement quand le système utlse de la DRAM synchrone.
tRAS
Lartcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
tRFC
Cette foncton permet de détermner le temps que le RFC prend pour lre ou écrre
une cellule demémore.
tWR
Lntervalle de temps mnmum entre la n dapparton décrture de données et le
début de lordre de précharge. Permet aux amplcateurs senstfs de restaurer les
données aux cellules.
tWTR
Lntervalle de temps mnmum entre la n dapparton décrture de données
et le début de lordre de pré-charge. Permet au pont I/O de fare sur-fonctonner
lamplcateur senstf avant quun ordre de lecture commence.
tRRD
Spéce le déla actf-à-actf des dérentes banques.
tRTP
Lntervalle de temps entre un ordre de lecture et un ordre de pré-charge.
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