6 – 2
6.3 Testing the Time Lag Class
Select phase L1 by means of the MODE pushbutton (1).
Set the test current according to I
p
= 6 * I
R
.
I
p
= test current
I
R
= setting current 0.4 ...1.0 * I
n
Start testing by pressing the START/STOP pushbutton (10).
When testing ETU15B, ETU25B or ETU27B releases, the
measured tripping time must be between 8 and 10 seconds.
For all other releases, the measured tripping time must be the same
as the time lag class t
R
+0 / -20 % that is set on the release (setting
I
2
t) or t
R
+0 / -40% (setting I
4
t).
After testing in conducting path L1, repeat the test in conducting
paths L2, L3 and, if required, conducting path N. In the case of the
setting I
N
= 0.5 * I
n
, ensure that the test current is 0.5* I/I
n
.
6.4 Testing the Thermal Memory
This test is used when the thermal memory (MEMORY) of the ETU
is switched on.
Thermal memory testing can be carried out in any phase.
- Deactivate the external power supply (15).
- Select the phase by means of the MODE pushbutton (1).
- Set the test current as described in 5.3 Setting the Test
Currents L1, L2, L3 and N.
- Enable testing by pressing the TEST ENABLED
pushbutton (9).
- Start testing by pressing the START/STOP
pushbutton (10).
- After successful tripping, start the test procedure again
immediately (pushbutton (9), pushbutton (10)).
The tripping time of the second tripping event should be at least 5%
shorter than that of the first tripping event. If the memory is switched
off, all tests will result in the entire tripping time:
t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
2
for the I
2
t characteristic curve
t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
4
for the I
4
t characteristic curve
6.3 Prüfung des Trägheitsgrades
Mit Taster MODE (1) Phase L1 anwählen.
Prüfstrom gemäß I
p
= 6 * I
R
einstellen.
I
p
= Prüfstrom
I
R
= Einstellstrom 0,4 ...1,0 * I
n
Prüfvorgang mit Taster START/STOP (10) einleiten
Bei Prüfung eines Auslösers ETU15B, ETU25B oder ETU27B muss
die gemessene Auslösezeit zwischen 8 und 10 s liegen.
Bei allen anderen Auslösern muss die gemessene Auslösezeit
gleich dem am Auslöser eingestellten Trägheitsgrad t
R
+0 / -20 %
betragen (Einstellung I
2
t) oder t
R
+0 / -40 % betragen (Einstellung
I
4
t).
Nach der Prüfung in der Strombahn L1 ist die Prüfung in den Strom-
bahnen L2, L3 und ggf. der Strombahn N zu wiederholen. Dabei ist
zu beachten, dass bei der Einstellung I
N
= 0.5 * I
n
der Prüfstrom
0.5* I/I
n
beträgt.
6.4 Prüfung des thermischen Gedächtnisses
Diese Prüfung wird angewendet, wenn das thermische Gedächtnis
der ETU (MEMORY) eingeschaltet ist.
Die Prüfung des thermischen Gedächtnisses kann in einer beliebi-
gen Phase durchgeführt werden.
- Fremdversorgung deaktivieren (15)
- Mit dem Taster MODE (1) die Phase anwählen
- Prüfstrom wie unter 5.3 Einstellen der Prüfströme L1, L2,
L3 und N beschrieben einstellen
- Prüfung vorbereiten mit Taster TEST ENABLED (9)
- Prüfvorgang mit Taster START/STOP (10) einleiten
- Nach erfolgter Auslösung Prüfvorgang sofort erneut star-
ten (Taster (9), Taster (10)).
Die Auslösezeit der zweiten Auslösung muss mindestens 5% klei-
ner sein als die Zeit der ersten Auslösung. Ist das Gedächtnis aus-
geschaltet, ergibt sich bei jeder Prüfung die volle Auslösezeit:
t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
2
für die I
2
t-Kennline
t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
4
für die I
4
t-Kennline
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