MSI H67MA-E35 (B3) - Page 102

Jp-28
MS-7680 マザーボード
DRAM Rato
この設定はメモリ周波数の倍率をコントロールし、メモリが異なる周波数組合せで動
作させます。
Adjusted DRAM Frequency
調整したDRAM周波数を表示します。読取専用です。
DRAM Tmng Mode
この項目でDRAMタイミングがDRAMモジュールのSPD (Seral Presence Detect) EE
-
PROM情報によりコントロールするかどうかを決定します。[Auto]に設定すると、
DRAMタイミングを有効にして、以下の[Advanced DRAM Con󰘰guraton]メニューが
SPDの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。[Lnk]あるいは[Unlnk]に設定す
ると、以下のメニューを手動で設定します。
Advanced DRAM Con󰘰guraton
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
Command Rate
DRAMコマンド率をコントロールします。
tCL
SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイミング遅
延であるCASレイテンシーを設定します。
tRCD
RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定します。一
般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がります。
tRP
DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定します。
RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するための時間が
足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMがデータを保持で
きなくなることがあります。システムに同期DRAMをインストールした場合のみ
この項目が利用できます。
tRAS
RAS(行アドレス信号)が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定しま
す。
tRFC
RFCが発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定します。
tWR
プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定するのが
tWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッファのデータが
メモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要があります。
tWTR
同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの間隔時間
を手動で設定します。読み取り命令の始める前にI/O gatngがセンス増幅器を増速
駆動できます。
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