Siemens SENTRON 3WL - Testing the Time Lag Class; Testing the Thermal Memory

6-2
6.3 Проверка класса временной задержки 6.3. Testing the Time Lag Class
Выберите фазу L1 с помощью кнопки РЕЖИМ (1). Select phase L1 by means of the MODE pushbutton (1).
Установите значение испытательного тока в соответствии с
формулой I
p
= 6 * I
R
.
Set the test current according to I
p
= 6 * I
R
.
I
p
= испытательный ток I
p
= test current
I
R
= ток уставки 0,4 ...1,0 * I
n
I
R
= setting current 0.4 ...1.0 * I
n
Начните проверку, нажав на кнопку СТАРТ/СТОП(10). При
проверке расцепителей ETU15B, ETU25B или ETU27B
измеренное время срабатывания может быть от 8 до 10 секунд.
Start testing by pressing the START/STOP pushbutton (10). When
testing ETU15B, ETU25B or ETU27B releases, the measured
tripping time must be between 8 and 10 seconds.
Для всех остальных расцепителей измеренное время
срабатывания может быть одинаковым
, поскольку время
задержки, которое задается на расцепителе t
R
+0 / -20%,
(уставка
I
2
t) или t
R
+0 / -40% (уставка I
4
t).
For all other releases, the measured tripping time must be the
same
as the time lag class t
R
+0 / -20 % that is set on the release
(setting
I
2
t) or t
R
+0 / -40% (setting I
4
t).
После проверки цепи L1 повторите аналогичную проверку для
цепей L2, L3 и при необходимости для N. В случае
уставки I
N
=
0.5 * I
n
убедитесь, что испытательный ток равен 0.5* I/I
n
.
After testing in conducting path L1, repeat the test in conducting
paths L2, L3 and, if required, conducting path N. In the case of the
setting I
N
= 0.5 * I
n
, ensure that the test current is 0.5* I/I
n
.
6.4 Проверка тепловой памяти 6.4. Testing the Thermal Memory
Данная проверка используется, когда включена тепловая память
(ПАМЯТЬ) электронного расцепителя.
This test is used when the thermal memory (MEMORY) of the ETU is
switched on.
Проверка тепловой памяти может быть выполнена в любой
фазе.
Thermal memory testing can be carried out in any phase.
- Отключите внешний источник питания (15). - Deactivate the external power supply (15).
- Выберите фазу с помощью кнопки РЕЖИМ (1). - Select the phase by means of the MODE pushbutton (1).
- Установите значение испытательного тока, как описано в п.
5.3 Установка значений испытательных токов L1, L2, L3 и N.
- Set the test current as described in 5.3 Setting the Test Currents
L1, L2, L3 and N.
- Активируйте возможность проверки нажатием кнопки
ПРОВЕРКА РАЗРЕШЕНА (9).
- Enable testing by pressing the TEST ENABLED pushbutton (9).
- Начните проверку, нажав на кнопку
СТАРТ/СТОП(10).
- Start testing by pressing the START/STOP
pushbutton (10).
- После успешного расцепления незамедлительно снова
запустите процедуру проверки (кнопка (9), кнопка (10)).
- After successful tripping, start the test procedure again
immediately (pushbutton (9), pushbutton (10)).
Время срабатывания при втором расцеплении должно быть как
минимум на 5% меньше, чем в первом случае срабатывания
защиты. Если память выключена, при каждой проверке будет
отображаться полное время срабатывания:
The tripping time of the second tripping event should be at least 5%
shorter than that of the first tripping event. If the memory is switched
off, all tests will result in the entire tripping time:
t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
2
для характеристической кривой I
2
t
t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
2
for the I
2
t characteristic curve
t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
4
для характеристической кривой I
4
t t
a max
= t
R
* [6 / (I/I
R
)]
4
for the I
4
t characteristic curve