Optos P200TE - 4.2.2 מידע אזהרה לגבי הלייזר הפנימי; 4.3 התאמה אלקטרומגנטית (EMC); 4.3.1 הדרכה והצהרת היצרן - פליטות אלקטרומגנטיות; 4.3.2 הדרכה והצהרת היצרן - חסינות אלקטרומגנטית

קרפ4-טרפמינכט
4.2.2עדימהרהזאיבגלרזיילהימינפה
םוקימתרהזארזיילהעדימהרהזא
אצמנקלחבימינפהירוחאהלש
.רישכמה
CAUTION - CLASS 3B LASER RADIATION
WHEN OPEN AVOID DIRECT EYE EXPOSURE
אצמנלעיבגיוסיכ.ןרקה
VISIBLE AND INVISIBLE LASER RADIATION
AVOID DIRECT EXPOSURE TO BEAM
CLASS 3B LASER PRODUCT
אצמנלעיבגיוסיכ-הSLD.
WARNING - LASER RADIATION
AVOID EXPOSURE TO BEAM
CLASS 3B LASER PRODUCT
4.3המאתהתיטנגמורטקלא)EMC(
P200TEדעוימשומישלהביבסבתיטנגמורטקלאטרופמכתואלבטב.תואבהןכרצהואשמתשמהרישכמבךירצאדווליכ
שומישההשענהביבסב.וזכש
4.3.1הכרדהתרהצהוןרציה-תוטילפתויטנגמורטקלא
הלבט13:תמישרתונעיהההטילפלתיטנגמורטקלא
תקידבתוטילפ
תקידבתמר
תונעיה-ל
IEC60601
הכרדההביבסלתיטנגמורטקלא
תוטילפRF
CISPR 11
הצובק1
P200TEשמתשמתייגרנאבRFקרךרוצלדוקפתהימינפה.ולש,ןכלתוטילפ
-הRFולשןהתוכומנדואמואלריבסןהשומרגיהערפהיהשלכדויצל
ינורטקלאתברקב.םוקמ
תוטילפRF
CISPR 11
הגרדB
P200TEםיאתמשומישללכב,תודסומהללוכתודסומבםייתיבהלאו
םירבוחמהתורישיתשרלתקפסאלמשחתירוביצחתמבךומנתקפסמה
םיניינבלםישמשמהתורטמל.םירוגמ
תוטילפתוינומרה
IEC61000-3-2.
הגרדA
תודונתחתמ/יבוהבה
הטילפIEC61000-3-3
Pst
Dmax
4.3.2הכרדהתרהצהוןרציה-תוניסחתיטנגמורטקלא
הלבט14:תמישרתונעיההתוניסחלתיטנגמורטקלא
תקידבתוטילפ
תקידבתמרתונעיה-ל
IEC60601
הכרדההביבסלתיטנגמורטקלא
רורחשיטטסורטקלא
IEC61000-4-2
±6 kVעגמ
±8 kVריווא
הפצרההכירצתויהלהפוחמ,ץעבןוטבוא.הקימרקםאהפצרה
הפוחמרמוחב,יטטניסתוחלהתיסחיההכירצתויהלתוחפל
30.%
רבעמריהמתוצרפתה/
תילמשח
IEC61000-4-4
±2 kVרובעיווקתקפסאלמשח
±1 kVרובעיווקהאיצי/הסינכ
תוכיאתקפסאלמשחהתישארההכירצתויהלוזכתיסופיטה
הביבסלתירחסמואתביבסתיב.םילוח
קלח:רפסמG108707/8GMEדומע67ךותמ75
תויוכזםירצוי2018,Optos plc.לכתויוכזה.תורומשתירבע)Hebrew(